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机译:一个晶体管一个电阻电化学金属化单元中栅极电压控制的多层存储的性能下降
Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China;
ECM; One transistor and one resistor (1T1R); multi-level cell (MLC); resistive random access memory (RRAM);
机译:栅极电压对高压n型横向扩散金属氧化物半导体晶体管中热载流子导通电阻衰减的影响
机译:有源闭环栅极电压控制方法,减轻金属氧化物半导体场效应晶体管的关断电压过冲和振铃
机译:La_2O_3门控N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中阈值电压的温度依赖性退化机理
机译:电化学门控石墨烯场效应晶体管用于细胞外信号记录
机译:氮化镓功率晶体管阈值电压控制的栅极堆叠设计。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:用于控制有机晶体管阈值电压的金属栅电极