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机译:GaN垂直p-n结二极管中边缘终止电场的
, Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA;
Power electronics; edge termination; edge termination.; gallium nitride; photocurrent; power devices; power electronics; wide-bandgap;
机译:外延生长的GaN-on-GaN垂直稳定性
机译:具有阶梯式三联结终端延伸的垂直GaN P-N二极管的设计与制造
机译:1.4-KV准垂直GaN肖特基势垒二极管,具有反向P-N结终端
机译:GaN-on-GaN p-n结双侧耗尽浅斜面终止二极管中的平行平面击穿场为2.8-3.5 MV / cm
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:通过扫描透射电子显微镜对p-n结处的内置电场进行成像
机译:垂直GaN二极管中的反掺杂多态连接终端延伸结构