机译:嵌入p-GaN中的纳米球形透镜光刻Ag纳米磁盘阵列,用于局部表面等离激元增强的蓝色发光二极管
机译:银纳米颗粒和SiO_2纳米盘嵌入p-GaN中的表面等离激元增强型发光二极管
机译:使用嵌入p-GaN中的银纳米颗粒的表面等离激元增强型发光二极管
机译:通过优化MgO隔离层的厚度使n-ZnO / i-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的局部表面等离子体增强紫外电致发光
机译:通过粗糙化p-GaN和未掺杂的GaN表面并在蓝宝石衬底表面上施加镜面来提高InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:磷光有机发光二极管的高能主体和蓝色发射器
机译:ZnO纳米棒阵列/ p-GaN异质结构器件的等离子体增强电致发光
机译:纳米球 - 透镜光刻ag纳米盘阵列嵌入在p-GaN中,用于局部表面等离子体增强蓝光发光二极管