机译:高压应用的多晶硅电阻器的特性和击穿行为
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机译:在n / sup + // n / n / sup + /或n / sup + // p / n / sup + /多晶硅电阻中提取通道长度和结电压
机译:适用于四分之一微米CMOS器件应用的新型和改进的多晶硅电阻器结构
机译:一种新的多晶硅电阻器模型,针对深亚微米CMOS工艺考虑了几何形状相关的电压特性
机译:SF6及其混合物在同轴圆柱体间隙中的击穿电压-时间特性,特别参考陡峭的前沿脉冲电压,直至斩波至100 ns。
机译:高压应用超晶格GaN-On-Silicon异质结构的高击穿电压和低缓冲液
机译:高压应用的多晶硅电阻特性和故障行为