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机译:Ce富含Ce掺杂SnO_2纳米晶体的Ce表面富集引起的带隙的工程
Univ Nacl San Agustin Arequipa Lab Peliculas Delgadas Escuela Profes Fis Ave Independencia S-N Arequipa Peru;
Univ Nacl San Agustin Arequipa Lab Peliculas Delgadas Escuela Profes Fis Ave Independencia S-N Arequipa Peru|Univ Brasilia Inst Fis Nucleo Fis Aplicada BR-70910900 Brasilia DF Brazil;
Univ Estadual Paulista Dept Fis IGCE BR-13506900 Rio Claro SP Brazil|Univ Fed Sao Carlos Ctr Ciencias Exatas & Tecnol Dept Fis BR-13565905 Sao Carlos SP Brazil;
Univ Fed Alfenas Inst Ciencias Exatas UNIFAL MG BR-37133840 Alfenas MG Brazil;
Univ Fed Sao Carlos Ctr Ciencias Exatas & Tecnol Dept Fis BR-13565905 Sao Carlos SP Brazil;
Univ Brasilia Inst Fis Nucleo Fis Aplicada BR-70910900 Brasilia DF Brazil;
Nanocrystals; Ce doped SnO2; Solubility limit; Solid solution; Surface segregation; Optical band gap energy;
机译:化学表面修饰CdTe纳米晶体的带隙工程
机译:甲脒铅碘化物钙钛矿纳米晶体的压力诱导的相变和带间隙工程
机译:Si纳米晶界面的缺陷工程和尺寸选择的Si纳米晶带隙的温度依赖性
机译:应激诱导的间接在嵌入β-Fesi_2纳米晶体中的直接带隙转变
机译:超快荧光上转换观察到硒化镉,硫化镉和硫化镉-硒合金纳米晶体中的带边重组:表面陷阱态的影响。
机译:异质掺杂元素之间的非常规相互作用:(YCo)掺杂的CeO2纳米晶体中的开关调制器带隙工程
机译:CdTe纳米晶体通过化学表面改性的带隙工程