机译:In含量高的InN / InGaN多量子阱中的载流子定位
Electronics Department, University of Alcalá, Madrid-Barcelona Road, km 33.6, 28871 Alcalá de Henares, Spain;
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机译:高In含量的InGaN薄膜的形貌,扩展缺陷和成分波动引起的载流子局部化之间的权衡
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机译:蓝光InGaN / GaN MQWs中的载子定位,载子运输和载子复合过程研究
机译:Inn和IngaN Nanostrctures的光学分析= Optiant Analsite Von Ind Indoostructure
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
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