机译:质子辐照对AlGaN / GaN微霍尔传感器的影响
Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan|c|;
机译:质子辐照的AlGaN / GaN基微型霍尔传感器的磁电特性的部分恢复
机译:质子辐照对AIGaN / GaN微霍尔传感器的影响
机译:低温下质子辐照增强AlGaN / GaN基磁传感器的低场负磁阻灵敏度
机译:质子辐照的退火对基于AlGaN / GaN的微厅传感器的影响
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:伪形高电子迁移率晶体管,AlGaN / GaN和Si微型霍尔探针的成像能力,可在25至125°c之间扫描霍尔探针显微镜