机译:拉曼散落在掺杂β-ga_2o_3
Leibniz-lnstitut fuer Kristallzuechtung Max-Bom-Str. 2 12489 Berlin Germany;
Paul-Drude-lnstitut fuer Festkoerperelektronik Leibniz-lnstitut im Forschungsverbund Berlin e.V. Hausvogteiplatz 5-7 10117 Berlin Germany;
Leibniz-lnstitut fuer Kristallzuechtung Max-Bom-Str. 2 12489 Berlin Germany;
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机译:拉曼散射显微镜氮掺杂4H-SiC晶体中氮掺杂浓度的新特征方法
机译:使用分子束外延的双阻隔β-(AIGA)_2O_3 / GA_2O_3结构和严重的SN-掺杂GA_2O_3层的生长
机译:分子束外延生长氮掺杂的硒化锌补偿自旋翻转拉曼散射研究
机译:基于氮掺杂的SiC综合拉曼散射及水印研究
机译:重稀土金属中的拉曼散射。
机译:利用表面增强拉曼散射研究掺杂Ga的ZnO纳米粒子与分子之间的电荷转移:掺杂引起的带隙收缩。
机译:用拉曼散射探测重掺杂n-GaAsN中的电子有效质量和迁移率
机译:CdTe中供体水平的共振电子拉曼散射