机译:β-GA_2O_3沟槽肖特基屏障二极管的温度依赖性电流 - 电压特性
Department of Electrical Engineering and Computer Science University of Michigan Ann Arbor Michigan 48109 USA;
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机译:在卤化物气相外延生长的n〜--Ga_2O_3漂移层上制造的Pt / Ga_2O_3(001)肖特基势垒二极管的温度相关电容电压和电流电压特性
机译:非平衡沟槽MOS势垒肖特基二极管的电流-电压特性
机译:基于β-Ga_2O_3(100)单晶衬底的肖特基势垒二极管及其随温度变化的电特性
机译:基于ZnO基于肖特基二极管的温度相关的电流 - 电压特性
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:pd / ZnO肖特基势垒二极管的温度相关电流 - 电压特性和Richardson常数的确定