机译:高导电深紫外透明氧化物半导体La掺杂SrSnO_3超过〜3000 S cm〜(-1)
Hokkaido Univ Grad Sch Informat Sci & Technol Kita Ku N14W9 Sapporo Hokkaido 0600814 Japan;
Hokkaido Univ Res Inst Elect Sci Kita Ku N20W10 Sapporo Hokkaido 0010020 Japan;
Univ Tokyo Inst Engn Innovat Bunkyo Ku 2-11-6 Yayoi Tokyo 1138656 Japan;
Hokkaido Univ Grad Sch Informat Sci & Technol Kita Ku N14W9 Sapporo Hokkaido 0600814 Japan|Hokkaido Univ Res Inst Elect Sci Kita Ku N20W10 Sapporo Hokkaido 0010020 Japan;
机译:高迁移率透明和传导La-掺杂SRSNO_3的氧化膜
机译:重离子掺杂氧化物半导体中的室温透明导电磁性氧化物(TCMO)特性
机译:透明导电氧化物/有机半导体界面处的电特性异质性:使用导电尖端原子力显微镜法绘制接触欧姆性
机译:高导电深紫外透明氧化物半导体La掺杂SrSnO_3超过〜3000 S cm〜(-1)
机译:镉-铟-锡-氧化物体系中块状和薄膜透明导电氧化物的结构,电学和光学特性。
机译:通过周期性超晶格将折射率与透明导电氧化物的电学特性解耦
机译:高电导深层紫外 - 透明氧化物半导体La-掺杂SRSNO3超过〜3000 s cm-1