机译:MIS-TSC:热激电流方法与用于单极阱光谱的金属-绝缘体-半导体器件的组合
Univ Duisburg Essen, Inst Technol Nanostruct, Bismarckstr 81, D-47057 Duisburg, Germany;
Univ Duisburg Essen, CENIDE, Bismarckstr 81, D-47057 Duisburg, Germany;
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机译:通过热激电流光谱和背栅测量研究AIGaN / GaN-on-Si器件中的缓冲陷阱
机译:热激发电流技术研究Al / HfO2 / SiO2 / 4H-SiC金属-绝缘体-半导体(MIS)结构中的界面陷阱
机译:使用热激励电流的4H-SiC MOSFET器件中载流子的空间定位
机译:热激电流光谱研究PLD生长的In-Ga-Zn-O薄膜中的持久光电流和深能级陷阱
机译:使用热和光学方法对可操作的氮化镓基晶体管中的可靠性限制阱进行定量光谱分析。
机译:极紫外瞬态吸收光谱法探测硅锗合金中超快的载热和俘获
机译:使用热激励电流的4H-SiC MOSFET器件中载流子陷阱的空间定位
机译:CdZnTe辐射探测器的补偿和陷阱研究热电发射光谱,热刺激电导率和电流 - 电压测量