机译:euro注入引起的GaN缺陷
Katholieke Univ Leuven, Inst Kern Stralingsfys, B-3001 Heverlee, Belgium;
DEEP-LEVEL DEFECTS; GROWN N-GAN; ELECTRON TRAPS; DOPED GAN; ER;
机译:MeV H〜+注入引起的离型GaN膜剥落的缺陷
机译:离子注入引起GaN中的氮缺陷
机译:掺杂和注入工艺在GaN中引入深层缺陷
机译:基于GaN的功率器件结构空缺型缺陷 - ION植入GaN的缺陷表征GaN和Al
机译:电和热感应物理缺陷对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性的影响。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:顺序多步multiple离子注入和GaN退火