机译:非易失性半导体存储器的多点浮栅:其离子束合成和形态
Res Ctr Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, D-01314 Dresden, Germany;
THIN SIO2 LAYERS; SINGLE-ELECTRON; NANOCRYSTALS; ENERGY; DIFFUSIVITY;
机译:浮动栅极操纵石墨烯 - 黑色磷异质结,用于非易失性Ambipolar肖特基结回忆,记忆逆变电路和逻辑整流器
机译:通过在具有Ag / CeO_x / Pt / HfO_x / n-Si结构的浮栅金属氧化物半导体电容器中通过细丝形成来改变非易失性可逆电容
机译:非易失性可逆电容通过具有AG / CEO_X / PT / HFO_X / N-Si结构的浮栅金属氧化物半导体电容器中的长丝形成改变
机译:用于非易失性存储器的MOSFET中的多点浮栅 - 它们的离子束合成和形态
机译:用于浮栅非易失性存储器应用的高级隧道电介质。
机译:合成形态和电光表征金属/半导体纳米线异质结构的研究
机译:用于非易失性半导体存储器的多点浮动栅极 - 它们的 离子束合成与形态学
机译:光伏铁电半导体非易失性存储器的研究