机译:氧化物/ SiC:O /氧化物夹心结构的记忆效应
Department of Physics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan, People's Republic of China;
机译:SiO_2 / SiO_x / 3C-SiC / n型硅非易失性存储器的氧化物结构对其存储器操作特性的依赖性
机译:性能良好的4H-SiC PMOSFET,具有SiC的LOCal氧化(LOCOSiC)隔离结构和适用于Sub-10V SiC CMOS应用的受损栅极氧化物
机译:Al_2O_3-CrAl_(0.42)Si_(1.58)-SiC-Al_4SiC_4氧化保护体系包覆C / C-SiC的结构和氧化行为
机译:铁磁/氧化石墨烯/量子点/二氧化硅中孔三明治结构的制备及细胞相容性评价
机译:原位钢化SiC陶瓷,添加Al-B-C和氧化物涂层的SiC薄片/ SiC复合材料。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:合成1,1'-BIS(1-甲基/氯-2,3,4,5-四苯基-1-硅酰键基苯基)来自硅孔的PH4C4SI(ME / CL) - (ME / CL)SIC4PH4 MESIC4PH4 - •Li +或Na +和硅孔Dianion SiC4PH4 2-•2 Li +;硅孔Mesic4ph4 - 氯化亚铁(FECL2)的氧化偶联Mesic4ph4 - •Li +或Na +和氧池Dianion的氧化偶联和氯化铜氯化铜(CuCl2)
机译:C / siC复合结构氧化模型