...
机译:在AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管特性的影响
机译:X射线光电子能谱研究通过在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上的AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层来改善器件性能的起源
机译:Ni / Pt / Au肖特基栅极热退火改善AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的DC和RF特性
机译:SiO_2钝化对采用附加肖特基栅极的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中漏电流的影响
机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:脱位对AlGaN / GaN肖特基二极管的影响以及高电子迁移率晶体管的栅极故障