机译:具有基于TiB_2的欧姆接触的AlGaN / GaN异质结构二极管的稳定氢传感器
机译:用于AlGaN / GaN异质结构的多层基于Pt / Al的欧姆接触层可在高达600摄氏度的环境空气中保持稳定
机译:Ti / Al / Ti / W无金欧姆接触通过预欧姆凹槽蚀刻和低温退火与AlGaN / GaN异质结构的机理
机译:从肖特基到欧姆石墨烯接触,再到AlGaN / GaN异质结构:AlGaN层微结构的作用
机译:在AlGaN / GaN异质结构上形成无AU的欧姆触点的凹陷过程
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同偏置条件对AlGaN / GaN异质结构氢气传感器的稳定性和功耗的研究
机译:用于alGaN / GaN异质结构的多层pt / al基欧姆接触 稳定高达600oC的环境空气