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机译:Inp衬底上1.55μm量子破折号/点半导体激光器的特性研究
机译:在1.55μm的InP / InAs量子破折号和量子点激光器中,双模注入下的高效非简并四波混合
机译:基于InAs / InP量子破折号的半导体激光器和光放大器的最新进展,工作于1.55μm
机译:基于InAs / InP量子破折号的半导体激光器和光放大器的最新进展,工作于1.55μm
机译:直接调制下1.55μmInAs / InP量子点和量子点激光器的比较
机译:半导体量子点激光器性能特性的理论研究
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:在INP / INAS量子划分的双模注射下高效非退化的四波混合在1.55μm的INP / INASum-Dash和量子点激光器下
机译:基于(100)Inp衬底,Inassb量子点激光器的室温连续操作接近2μm