机译:准静态C-V法观察Si(111)单晶Nd_2O_3中近界面氧化物陷阱
机译:单晶epi-Si(111)/ Y2O3 / Pr2O3 / Si(111)异质结构的复杂界面和生长分析:通过氧化物缓冲液控制进行应变工程
机译:来自单个Si / SiO2界面陷阱的电荷泵浦电流:通过电荷泵浦方法直接观察P-b中心和基本陷阱计数
机译:准静态I-V法观察和表征3C-Sic MOS结构中近界面氧化物陷阱
机译:单个Si / SiO_2界面陷阱的表征;通过电荷泵(CP)方法直接观察单个P_(b0)中心并修正常规CP理论
机译:使用脉冲电检测磁共振研究(111)取向的磷掺杂晶体硅与二氧化硅界面处的自旋相关跃迁和自旋相干性。
机译:在InSb(111)B上发现并形成了结晶相和氧化物相
机译:(111)中的六重晶体各向异性磁电阻 LaalO $ _3 $ / srTiO $ _3 $氧化物界面
机译:估算mOs氧化物阱,界面陷阱和边界陷阱密度的简单方法