机译:金属有机化学气相沉积在InAsN / GaAs量子阱的原子层外延生长中引入应变诱导氮
Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Surface Science Laboratory, Solid State Institute, Technion-hrael Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Electrical Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Physics, Technion-lsrael Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
机译:通过金属有机化学气相沉积通过脉冲原子层外延在邻近GaAs(100)衬底上形成均匀的InAs量子点
机译:低压金属有机气相外延生长富In_xGa_(1-x)As / GaAs层中的铟掺入及其对自组装量子点生长的影响
机译:金属有机化学气相沉积法在ln(Ga)As / GaAs(001)量子点的液滴外延生长过程中的元素扩散
机译:在LP金属有机化学气相沉积(MOCVD)中使用氮气作为载气来生长GaAs AlGaAs和量子阱红外光电探测器异质结构
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过使用金属有机化学气相沉积法简单地改变V / III比可实现宽范围可调密度的InAs / GaAs量子点
机译:金属有机化学气相沉积法在In(Ga)As / GaAs(001)量子点的液滴外延生长过程中的元素扩散