机译:在完全应变的单个InGaN / GaN异质结构中通过电子空穴等离子体复合产生的受激发射
CIMAP, CNRS UMR 6252, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France;
Instituto de Sistemas Optoelectronicos y Microtecnologia and Dpto. de Ingenieria Electronica, E.T.S.I. Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Avda. Complutense 30, Ciudad Universitaria, 28040 Madrid, Spain;
CIMAP, CNRS UMR 6252, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France,Stuttgart Center for Electron Microscopy, Max Planck Institute for Solid State Research, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart, Germany;
AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany;
Institut fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany;
Institut fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany;
Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-UdS, 23 rue du Loess, BP 43, 67034-Strasbourg Cedex 2, France;
CIMAP, CNRS UMR 6252, 6 Boulevard du Marechal Juin, 14050 Caen Cedex, France;
AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany;
AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany;
机译:m面InGaN / GaN量子阱中激子和电子空穴等离子体的载流子密度依赖的复合动力学
机译:m面InGaN / GaN量子阱中激子和电子空穴等离子体的载流子密度依赖的复合动力学
机译:硅基衬底上InGaN / GaN异质结构多量子阱中自发和激发复合的机理
机译:极性InGaN / GaN量子异质结构中辐射复合寿命的电场依赖性
机译:蓝光发射器和垂直腔激光器的InGaN异质结构的光学表征:效率和重组动力学。
机译:校正:GaN / InGaN双势垒量子阱异质结构中的受限和界面光子发射
机译:M-平面ingAn / GaN量子阱中的激子和电子气孔等离子体的载体密度依赖性重组动力学
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。