机译:二维半导体中激子的电子能量损失谱与温度的关系
Laboratoire de Physique des Solides, Universite Paris-Sud, CNRS-UMR 8502, Orsay 91405, France;
Nanotube Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba 305-8565, Japan;
Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia;
Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia;
Nanotube Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba 305-8565, Japan;
机译:电子能量损失谱法观察铟/ per-3,4,9,10-四羧酸二酐体系中的低能分子激子
机译:通过X射线和紫外光电子能谱,低能电子衍射,俄歇电子能谱和功函数测量直接观察LaB6(001)在高温下的表面
机译:扫描隧道光谱和高分辨率电子能量损失谱研究碳簇阵列的化学反应和电子功能
机译:用电子能量损失谱和密度泛函理论研究GaN的电子结构
机译:使用X射线光电子能谱,俄歇电子能谱,电子能量损失能谱和低能电子衍射来表征氧化铝的电子和几何结构。
机译:高分辨率电子显微镜电子能损光谱X射线粉衍射和电子对分布函数的非晶二氧化硅纳米结构的微观结构研究
机译:二维半导体中激子的电子能量损失谱与温度的关系
机译:用aEs(俄歇电子能谱),Xps(诱导光电子能谱),EELs(电子能量损失谱)和LEED(低能电子衍射)研究Fe-si合金的初始氧化