机译:在溅射和高温退火的AIN /蓝宝石上生长的基于AlGaN的深紫外LED
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Evatec AG, Hauptstrasse la, 9477 Truebbach, Switzerland;
Department of Electrical and Electronic Engineering, Mie University, Mie 514-8507, Japan;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
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Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany,Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany;
机译:外延AIN /蓝宝石模板上生长的基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:氢化物气相外延在具有溅射沉积退火AlN薄膜的纳米图案蓝宝石衬底上制备高质量的厚AlN层
机译:氢化物气相外延溅射沉积的AIN膜在纳米透明天然蓝宝石衬底上的高质量厚AIN层的制备
机译:在蓝宝石上使用高质量AlN开发基于AlGaN的深紫外LED
机译:低温退火后铝-蓝宝石界面的次表面氧化物特征
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:通过磁控溅射和高温退火在石英玻璃和蓝宝石(001)基板上生长的ZnO薄膜的比较研究
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层