4H-SiC; gate turn-off thyristor; threading dislocation aggregation; forward voltage drop;
机译:使用增强型侧壁层具有低正向压降的高压4H-SiC沟槽MOS势垒肖特基整流器
机译:高压4H-SiC GTO的开关相关器件参数的仿真研究
机译:KOH蚀刻在可靠性测试后4H-SIC 650 V MOSFET器件故障检测的XOH蚀刻检测的螺纹脱位的影响
机译:高压4H-SiC GTO的开关相关器件参数的仿真研究
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:来自Ugni Molinae浆果的富含酚醛的提取物降低了亨廷顿疾病的细胞模型中的异常蛋白质聚集
机译:4H-SIC沟槽型累积超级屏障整流器(TASBR),用于低正向电压降
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响