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Modeling Electrolytically Top-Gated Graphene

机译:电解顶浇石墨烯建模

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摘要

We investigate doping of a single-layer graphene in the presence of electrolytic top gating. The interfacial phenomenon is modeled using a modified Poisson–Boltzmann equation for an aqueous solution of simple salt. We demonstrate both the sensitivity of graphene’s doping levels to the salt concentration and the importance of quantum capacitance that arises due to the smallness of the Debye screening length in the electrolyte.
机译:我们研究了在电解顶部浇口的存在下单层石墨烯的掺杂。界面现象是使用改良的Poisson–Boltzmann方程对简单盐的水溶液进行建模的。我们展示了石墨烯掺杂水平对盐浓度的敏感性以及由于电解质中德拜屏蔽长度的小而引起的量子电容的重要性。

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