机译:氟掺杂:提高高电阻宽带隙Mg0.51Zn0.49O活性成分电导率的可行解决方案
机译:氟掺杂:提高高电阻宽带隙Mg 0.51 sub> Zn 0.49 sub> O活性组分电导率的可行解决方案
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机译:Zn掺杂的PbO纳米颗粒(NPs)/氟掺杂的氧化锡(FTO)作为光阳极,用于增强窄带隙纳米结构的可见近红外(NIR)广谱光电流应用:以SnSe NPs为例
机译:在重掺杂宽带隙半导体中通过激发态提高受体的电离效率
机译:掺杂有稀土离子的宽带隙氮化物和掺杂有常规等电子杂质的氮化镓的发光特性。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:氟掺杂:提高电导率的可行解决方案 高阻宽带隙mg0.51Zn0.49O有源元件