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中国科学院物理研究所;
宽带隙半导体; 元素掺杂; 非磁性; SiC; 磁性杂质; 过渡元素; 稀磁半导体; 制备条件;
机译:amorphous掺杂非晶宽带隙半导体(SiC)_(1-x)(AlN)_x的带隙工程及其光发射特性
机译:宽带隙半导体SiC的单晶生长研究进展
机译:宽带隙半导体功率器件的发展趋势-以SiC(碳化硅)为中心的宽带隙半导体
机译:在宽带隙稀释磁半导体中的异常霍尔效应与非磁性杂质共掺杂
机译:纳米掺杂和同步辐射驱动的稀土掺杂宽带隙半导体材料的Mossbauer光谱。
机译:基于宽带隙半导体纳米线的紫外探测器的研究进展
机译:宽带隙半导体(SiC和氮化物半导体)的光谱研究
机译:稀土掺杂宽带隙半导体的光学表征
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:掺杂带隙至少为1.4 eV的宽带隙半导体晶体的方法
机译:用于宽带隙半导体电子器件的掺杂掺杂剂激活
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