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Single Crystal Growth and Spin Polarization Measurements of Diluted Magnetic Semiconductor (BaK)(ZnMn)2As2

机译:稀磁半导体(BaK)(ZnMn)2As2的单晶生长和自旋极化测量

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摘要

Recently a new diluted magnetic semiconductor, (Ba,K)(Zn,Mn)2As2 (BZA), with high Curie temperature was discovered, showing an independent spin and charge-doping mechanism. This makes BZA a promising material for spintronics devices. We report the successful growth of a BZA single crystal for the first time in this study. An Andreev reflection junction, which can be used to evaluate spin polarization, was fabricated based on the BZA single crystal. A 66% spin polarization of the BZA single crystal was obtained by Andreev reflection spectroscopy analysis.
机译:最近发现了一种新的稀磁半导体,(Ba,K)(Zn,Mn)2As2(BZA),具有居里温度高,显示出独立的自旋和电荷掺杂机制。这使BZA成为自旋电子设备的有前途的材料。我们在这项研究中首次报告了BZA单晶的成功生长。基于BZA单晶制造了可用于评估自旋极化的Andreev反射结。通过Andreev反射光谱分析获得了BZA单晶的66%的自旋极化。

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