RF-PCVD沉积参数对TiN沉积速率的影响

摘要

用射频等离子体沉积TiN膜，对影响薄膜生长的因素作了研究。特别是H2，N2，TiCl4及射频功率、偏压对膜生长速率的影响进行了报导。