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李超; 王军;
西南科技大学信息工程学院;
GaN高电子迁移率晶体管; 电路模型; 参数提取; 散射参数;
机译:使用小信号等效电路在AlGaN / GaN HEMT中进行电流崩塌建模以用于大功率应用
机译:基于X参数的GaN HEMT等效电路建模新技术
机译:PECVD SiN钝化对AlGaN / GaN HEMT中偏置相关的等效电路元素的综合研究
机译:用GaN HEMT等效电路表示建模开关特性的研究
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:AlGaN / GaN HEMT大信号建模中的IV扭结效应研究
机译:毫米波Algan / GaN Hemts等效电路模型
机译:用于射频(RF)功率和增益优化的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)的物理分析
机译:HEMT高频小信号等效电路模型的半物理建模
机译:HEMT高频噪声等效电路模型的半物理建模
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