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AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

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利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|411-413|共3页
作者
刘丹; 陈晓娟; 罗卫军; 李诚瞻; 刘新宇; 和致经;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
AlGaN/GaN; HEMT; 小信号等效电路; 参数提取;

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