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C.W.NAHM;
Semiconductor Ceramics Laboratory,Department of Electrical Engineering,Dongeui University,Busan 614-714,Korea;
ZnO-V2O5基陶瓷; 烧结; 电性能; 衰减行为; 压敏电阻器;
机译:V / Mn / Nb / Gd共掺杂氧化锌半导体压敏电阻的低温烧结非欧姆特性
机译:各种添加剂改性的V / Mn / Co / La / Dy共掺杂氧化锌陶瓷的压敏性能和老化行为
机译:通过小的烧结变化改善(Mn,Nb,Er)掺杂的ZnO-V_2O_5基压敏陶瓷的时效特性
机译:低压应用Gd_2O_3替代Zn-V-Mn-Nb-0压敏陶瓷的微观结构和非线性特性
机译:使用氧化锌纳米尖端和掺杂镓的氧化锌薄膜的染料敏化太阳能电池
机译:铝掺杂氧化锌籽晶层上生长的氧化锌纳米棒的结构特性及其在染料敏化太阳能电池中的应用
机译:改性柠檬酸盐凝胶涂层制备低压氧化镨掺杂氧化锌压敏陶瓷的合成机理
机译:Yb对pb(Zr,Ti)O3-pb(mn,Nb)O3烧结行为及高功率压电性能的影响
机译:氧化锌陶瓷组成及其制造方法,使用它们的氧化锌压敏电阻,氧化锌压敏电阻和氧化锌压敏器件
机译:沉积掺杂的氧化锌膜,导电性氧化锌膜的方法以及掺杂的氧化锌膜的用途
机译:在镓和锰与氧化锌共掺杂的情况下,具有出色导电性的氧化锌基导体
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