第三代半导体正在走向“巅峰”

摘要

第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性,因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用,被视为电力电子领域的颠覆性技术。