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MOSFET 电源转换 碳化硅 转换设计 性能 技术 股份公司 功率密度;
机译:英飞凌德国突破性的高效1200V SiC MOSFET技术
机译:后来保险丝,超低电阻1200 VSICMOSFET新系列推出了两种类型,高性能设计电源转换系统超高速切换实现
机译:基于1200V 100A SiC MOSFET的两电平电压源转换器的设计考虑和性能评估
机译:使用英飞凌1700 V碳化硅MOSFET的62 W三相电源转换器的辅助电源
机译:一种使用常关型碳化硅垂直结场效应晶体管作为使能技术的分布式电源架构的负载点转换器的设计方法。
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:使用碳化硅(siC)交付订单交付订单交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器:基于材料和器件属性的siC VJFET设计和性能的关键分析
机译:用于连接开关节点的开关装置,具有为n沟道MOSFET设计的控制电路,并检测开关节点处的电压之一,其中当其中一个电压达到阈值时,通过控制输入来调节MOSFET
机译:具有碳化硅MOSFET的变频器电源转换器的控制方法
机译:碳化硅MOSFET的电源转换器接地方案
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