东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

摘要

东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET—“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。