退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
许俊焯; 蒙自明;
广东工业大学;
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 氧化镓; HEMT; 研究进展;
机译:具有高电子迁移率晶体管改进的高电子迁移率晶体管提高的串口阵列和非对称双格子栅极阵列
机译:InGaAs变质高电子迁移率晶体管与InGaAs / InP复合沟道变质高电子迁移率晶体管的击穿特性比较研究
机译:常规变质高电子迁移率晶体管与InP复合沟道变质高电子迁移率晶体管的击穿电压比较研究
机译:离子与Log(Ig)图的应用表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入Aigan / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:基于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的高选择性和敏感性磷酸敏感性晶体管通过离子印迹聚合物官能化
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:包括高电子迁移率晶体管的电子设备,该高电子迁移率晶体管包括具有不同部分的阻挡层
机译:高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的制造方法以及电子设备
机译:制造基于氮化物的高电子迁移率晶体管和基于氮化物的高电子迁移率晶体管的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。