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刘亚雯; 范钦敏;
中国科学院高能物理研究所;
X射线荧光分析; 硅半导体; 砷掺杂; 三维分布;
机译:扫描透射电子显微镜/能量色散X射线光谱法定量分析硅中的砷掺杂浓度
机译:强烈的导热率依赖于砷掺杂硅中的砷空位复合物形成
机译:低于50 nm的硅金属氧化物半导体器件通过自旋掺杂剂中砷的固相扩散,在绝缘体上硅上形成超浅且突变的n〜+ -p结
机译:氟对砷掺杂无定形硅和多晶硅外延再生和氯对砷掺杂多晶硅外延再生的影响
机译:光学方法定量分析高纯度砷化镓,重掺杂砷化镓和铝砷化镓/砷化镓异质结器件
机译:稀磁性半导体锰掺杂砷化镓的元素和动量分辨电子结构
机译:用硅研究硅中的砷掺杂原子 低温扫描隧道显微镜
机译:硅掺杂砷化镓和砷化铝镓红外发光二极管的辐射功率降解
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:将掺杂元素引入硅层中的方法,多晶硅太阳能电池的制造方法,多晶硅薄膜晶体管的制造方法以及将掺杂元素引入硅层中的装置
机译:利用内置工具控制掺杂物扩散到硅(砷扩散)中的石英安瓿瓶设计,以控制硅P-N结构的扩散后冷却速率
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