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美国俄亥俄州立大学; 高频通信系统; 电子迁移率; 电力电子; 应用物理; 研究人员; 氧化镓; 宽禁带半导体材料;
机译:氧化镓和基于金刚石高功率和高频电子产品的最新进展
机译:氧化镓和二氧化镓:通过阴离子光电子能谱研究基态和低洼电子态
机译:氧化镓和二氧化镓:通过阴离子光电子能谱研究基态和低价电子态
机译:Sn:β型氧化镓β型氧化镓掺杂剂局部结构局部结构II
机译:III-VI半导体和氧化物:硒化镓,硒化铟和氧化镓的电子结构,表面形态和过渡金属掺杂。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:通过水平气相生长技术对氧化镓/锡氧化物纳米结构的合成与表征潜在电力电子应用
机译:基于氧化镓替代掺杂镓的透明导电触点:预印刷
机译:掺杂铈的氧化镓的制造方法以及由其制造的掺杂铈的氧化镓和包含其的光催化剂
机译:金属掺杂的氧化镓铁薄膜的制造方法及金属掺杂的氧化镓铁薄膜的制造方法。
机译:通过本征掺杂制造p型氧化镓的方法,由氧化镓获得的薄膜及其用途
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