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张乃千; 任勉; 李震;
中国电工技术学会;
氮化镓; 宽禁带半导体; 功率器件; 电力电子器件; 场效应晶体管;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
机译:一种用于高级电力电子设计的基于物理基致氮化镓功率半导体器件模型
机译:(铝,镓)氮化物的氨分子束外延,用于氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:基于氮化镓MIS-HEMT CASCODE器件的可靠性表征,用于电力电子应用
机译:用于射频(RF)功率和增益优化的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)的物理分析
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:一种基于氮化镓的发光二极管器件的氮化镓基质分离方法,该器件包括可回收的氮化镓基质,能够降低制造成本和缺陷密度
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法,该晶体管在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点
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