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Au／PZT／BIT／p-Si结构铁电存储二极管存储特性

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采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了Au／PZT／B1T／p-Si结构铁电存储二极管。对其铁电性能和存储特性进行了实验研究。铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线，其剩余极化和矫顽场分别约为15μC／cm2和48kV／cm；

著录项

来源
《科学新闻》 |2001年第7期|21|共1页
作者
于军; 王华; 董晓敏; 周文利; 王耘波; 郑远开; 赵建洪; 谢基凡;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体二极管;
关键词
二极管; 存储; 结构; BIT; 铁; 实验研究; 性能测试; 不对称; 激光; cm; 极化;

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