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陆学斌; 刘晓为; 揣荣岩; 施长治;
哈尔滨工业大学MEMS中心;
沈阳工业大学信息科学与工程学院;
多晶硅纳米薄膜; 应变系数; 线性度; 掺杂浓度; 隧道压阻理论;
机译:电流诱导的不同温度下沉积的多晶硅纳米薄膜的再结晶及其对压阻灵敏度和温度系数的影响
机译:一种提取多晶硅栅MOS结构中靠近氧化物的多晶硅和硅表面层中平均掺杂浓度的简单方法
机译:沟道掺杂浓度对n型无结双栅极多晶硅纳米条晶体管的影响
机译:掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响
机译:石墨烯纳米薄膜对丙烯腈丁二烯苯乙烯结构,机械和电性能的影响
机译:不同沉积温度下多晶硅纳米薄膜的压阻灵敏度线性和电阻时间漂移
机译:不同沉积温度下多晶硅纳米薄膜的压阻灵敏度,线性度和电阻时间漂移
机译:多晶硅对单晶铝中应变硬化的影响
机译:具有高线性度的w-多晶硅-多晶硅电容器的制造方法
机译:利用离散余弦变换的线性度的水印插入和检测方法,尤其是与通过使用DCT的线性度来控制DCT系数中空间变化的部分而无需执行DCT和IDCT
机译:通过在嵌入式SiGe PMOS工艺中提高多晶硅栅极掺杂浓度来提高性能的新方法
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