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邓志杰(摘译);
三菱化学公司; GaN; 非极性; 衬底; 生产; 实验室研制;
机译:使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
机译:基于GaN的HFET盲电流塌陷测量:常关JHFET,在非极性a面GaN衬底上使用HFET,在c-GaN衬底上使用p-GaN栅极
机译:在M-GaN(非极性)和C-GaN(极性)衬底上进行GaN /(In,Ga,Al)N MQW的同质外延生长
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:在LiAlO2(001)衬底上生长的非极性m面GaN膜和极化的InGaN / GaN LED
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:单晶GaN衬底,生长单晶GaN的方法和生产单晶GaN衬底的方法
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