CVD金刚石薄膜探测器对γ射线响应的电荷收集效率测量方法

摘要

理论研究发现,在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片,可以有效过滤探测系统中散射电子,准确测定探测器对γ射线诱发电子的电荷收集效率.以电荷收集效率为100％的Si-PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准,建立了化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统.研究结果表明:所研制的CVD金刚石薄膜探测器,在600 V饱和偏压下,电荷收集效率在常态时为55％,在“priming”状态时可达69％.