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杨国伟;
无;
金刚石; 薄膜; 表面缺陷; 成核; 低压气相生长;
机译:低压氢化物气相外延的三维成核在6H-SiC衬底上进行高质量AIN生长
机译:微波等离子体化学气相沉积和热丝化学气相沉积技术在硅衬底上生长金刚石薄膜的比较研究
机译:硅衬底上大面积,高取向金刚石薄膜的成核和生长
机译:热丝化学气相沉积法在划痕的Si(100)衬底上生长的金刚石晶体的成核与生长机理研究
机译:化学气相沉积金刚石薄膜的成核和生长。
机译:低压下六角花量子点状铜图案的形成液相Cu / W衬底上化学气相沉积石墨烯的生长
机译:CoSi2(001)和Si(001)上化学气相沉积金刚石薄膜成核和生长特性的比较研究
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上生长金刚石薄膜的方法
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积沉积的化学气相沉积在高温下的高温等离子体生长高同质金刚石薄膜沉积
机译:生长金刚石薄膜的薄膜成核工艺
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