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杨国伟;
无;
金刚石; 薄膜; 凹缺陷; 成核;
机译:低压氢化物气相外延的三维成核在6H-SiC衬底上进行高质量AIN生长
机译:微波等离子体化学气相沉积和热丝化学气相沉积技术在硅衬底上生长金刚石薄膜的比较研究
机译:低压金属有机化学气相沉积法在P-SI衬底上生长的BAT3薄膜的表面,结构和电学性质
机译:热丝化学气相沉积法在划痕的Si(100)衬底上生长的金刚石晶体的成核与生长机理研究
机译:化学气相沉积金刚石薄膜的成核和生长。
机译:低压下六角花量子点状铜图案的形成液相Cu / W衬底上化学气相沉积石墨烯的生长
机译:CoSi2(001)和Si(001)上化学气相沉积金刚石薄膜成核和生长特性的比较研究
机译:金刚石薄膜的成核生长与缺陷工程
机译:通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上生长金刚石薄膜的方法
机译:用于半导体衬底处理装置的处理室中的衬底保持器,具有凹部,该凹部具有位于同一平面中的支承表面,并且在顶面的平面图中,突起区域中的壁是直的
机译:确定布置在载体衬底中的凹部的表面的方法包括在腔室和抽空腔中烘烤载体衬底,以便产生并围绕基本上除气的载体衬底的整个表面。
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