射频磁控共溅射高温NH3退火制备CuO/SiO2复合薄膜的微观结构

石锋; 李玉国; 孙钦军

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射频磁控共溅射高温NH3退火制备CuO/SiO2复合薄膜的微观结构

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采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成XuO结构,对其微观结构进行分析.随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙,后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑.

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来源
《微细加工技术》 |2008年第6期|12-13,18|共3页
作者
石锋; 李玉国; 孙钦军;
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作者单位

山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014;

山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014;

山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014;

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正文语种 chi
中图分类层介质膜;
关键词
射频磁控共溅射法; CuO/SiO2复合薄膜; 微观结构;

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