p型ZnO薄膜研究进展

盛苏; 方国家; 袁龙炎

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ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LEDs)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3 Ω·cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.

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来源
《材料科学与工艺》 |2006年第6期|637-641,645|共6页
作者
盛苏; 方国家; 袁龙炎;
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作者单位

武汉大学,物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;

湖北师范学院,物理系,湖北,黄石,435002;

武汉大学,物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;

武汉大学,物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;

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正文语种 chi
中图分类 TN304:O475;
关键词
ZnO薄膜; p型掺杂; 同质p-n结;

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