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齐通通; 郭杰; 王国伟; 郝瑞亭; 徐应强; 常发然;
云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室;
昆明650092;
中国科学院半导体研究所超晶格与微系统国家重点实验室;
北京100083;
长波红外探测器; InAs/InAsSb超晶格; 分子束外延; 界面生长;
机译:用于长波长红外光电探测器的金属有机化学气相沉积在GaSb衬底上InAs / GaSb和InAs / InAsSb II型超晶格的外延生长和表征
机译:光学探测器的InAs / InAsSb应变平衡超晶格:材料性能和能带模拟
机译:热电冷却nBnⅡ型超晶格InAs / InAsSb / B-AlAsSb中波红外探测器
机译:AlSb界面对InAs /InAsSbⅡ型红外超晶格材料性能的影响
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:用于长波红外探测器的InAs / InAsSb应变平衡超晶格
机译:龙波红外探测器的INAS / INASSB应变 - 平衡超晶格
机译:V族通量的校准方法和V / III通量比对分子束外延生长Inas / Inassb II型超晶格的影响。
机译:长波长,高增益InAsSb应变层超晶格光电导探测器
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器中的辐射缺陷缓解方法及相关方法
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