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魏贤华; 张鹰; 梁柱; 黄文; 李言荣;
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;
缓冲层 Si基片 BST薄膜 异质外延 界面;
机译:氢化物气相外延在分子束外延上GaN的外延横向过生长Si衬底上的GaN缓冲层
机译:用于Si上Ge外延层的超薄缓冲层
机译:不同组成的氧化钇稳定的氧化锆膜作为缓冲层,用于在Si(001)上沉积外延金刚石/铱层
机译:MgO缓冲层的外延生长和Si上的Si上的PB(Zr,Ti)O {Sub} 3的电极层
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:通过自组装的PtSe2缓冲层在SiO2 / Si上可扩展外延生长WSe2薄膜
机译:晶格匹配的HfN缓冲层用于si上的GaN外延
机译:用于YBCO涂层导体的双轴织构金属基板上的溶液基缓冲层的外延生长
机译:具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
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