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直拉硅单晶中氢行为的研究进展

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摘要

总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.

著录项

来源
《材料导报》 |2007年第9期|24-27|共4页
作者
李金刚; 杨德仁; 马向阳; 阙端麟;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
氢; 氧扩散; 热施主; 氧沉淀; 空洞型缺陷;

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