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张禹; 王克昌; 张荣; 谢自力; 韩平;
南京大学物理系,南京,210093;
江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;
北京科技大学物理系,北京,100083;
GaN; MOCVD; 量子化学计算; 生长模型;
机译:奇数氮素聚集阴离子生长机制的量子化学视图
机译:苯前体与多环芳烃自由基生长机制的量子化学研究
机译:Na-Flux法生长的甘GaN不同生长机制的应力演变
机译:量子化学计算分析Si(100)中的外延生长机制
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:量子计算机上的量子化学:一种方法在量子计算机上准备多配置波函数不执行后Hartree-Fock计算
机译:理解GaN外延层对机械剥离石墨的生长机制
机译:GaN外延横向过生长的传输,生长机制和材料质量
机译:用于量子化学的量子计算机资源优化的Fermionic局部仿真的方法和装置
机译:在非平衡条件下分子的量子化学建模的计算机系统和方法
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