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GaN MOCVD生长机制的量子化学计算

         

摘要

综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.

著录项

  • 来源
    《材料导报》 |2007年第9期|127-129|共3页
  • 作者单位

    南京大学物理系,南京,210093;

    江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    北京科技大学物理系,北京,100083;

    北京科技大学物理系,北京,100083;

    南京大学物理系,南京,210093;

    江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,南京,210093;

    江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,南京,210093;

    江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

    GaN; MOCVD; 量子化学计算; 生长模型;

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